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求助 关于AlN slab的模拟优化问题

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发布时间: 2024-6-13 15:16

正文摘要:

老师好, 附件是我对于AlN slab进行结构优化的cp2k文件 真实结构为图1(初始结构)是六方晶 但是在优化后,却变成了图2的层状结构(明显是错误的) 但是,我不知道哪里设置有问题 所以麻烦老师指正,谢 ...

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卡开发发 发表于 Post on 2024-6-16 22:59:31
本帖最后由 卡开发发 于 2024-6-16 23:15 编辑
桂の猿 发表于 2024-6-16 19:11
好的,谢谢老师。
麻烦问一下,如果考虑自旋极化,CP2K中应该如何设置,谢谢

你需要设置UKS和猜原子磁矩,可以稍微翻一下手册。另外,其实即便不做自旋极化,取四层也不会产生上述畸变。但怎样做更合理或是包含何种更深层次的因素,这才是应当要考虑的,而不是凭借主观喜好和不知道谁提的“标准”。
桂の猿 发表于 Post on 2024-6-16 20:44:26
sobereva 发表于 2024-6-16 19:24
最后一种。这是标准做法

谢谢卢老师
sobereva 发表于 Post on 2024-6-16 19:24:23
桂の猿 发表于 2024-6-16 19:09
谢谢卢老师。
测试后,的确需要固定。
我这里slab的优化和被吸附分子的优化都结束了。

最后一种。这是标准做法

桂の猿 发表于 Post on 2024-6-16 19:11:38
卡开发发 发表于 2024-6-14 12:44
我花了一些时间简单做了一点测试,但是我没用超晶胞,你也许可以按照以下建议来试试:

1、你现在只用 ...

好的,谢谢老师。
麻烦问一下,如果考虑自旋极化,CP2K中应该如何设置,谢谢
桂の猿 发表于 Post on 2024-6-16 19:09:55
sobereva 发表于 2024-6-14 02:01
体相结构为三维共价晶体,不代表很薄的slab结构也能维持体相结构状态,环境有截然不同。如果目的是模拟晶体 ...

谢谢卢老师。
测试后,的确需要固定。
我这里slab的优化和被吸附分子的优化都结束了。
下一步是将被吸附分子放置到被吸附位点进行优化。
此时的优化是固定已经优化好的Slab,只优化被吸附分子?
还是应该固定底层,将slab的表面和被吸附分子一起优化?
谢谢
卡开发发 发表于 Post on 2024-6-14 12:44:01
桂の猿 发表于 2024-6-13 20:29
之前优化一共进行了18轮后结束,出现了如前所述错误
这一次我固定了底部2层原子,现在第9轮了,没有问题。 ...

我花了一些时间简单做了一点测试,但是我没用超晶胞,你也许可以按照以下建议来试试:

1、你现在只用了三个单位的厚度,你可以试试用四个单位厚度看看,我这边用两个程序测下来结果都表明厚度为4的时候不会是这种层状的。
2、这个体系有可能考虑自旋极化能量会更低,我测了铁磁的情况,反铁磁没有测试,但能量要比非自旋极化情形来的低。

做些附加说明,这体系以前和其他课题组合作做实验的人说类似的体系(具体体系我不能说)能测出来居里温度,这也是这里猜要考虑自旋极化的原因。其次是,如果你把这个表面的原胞看成是一维体系,其实层状结构相当于Al-N是等距的,而正常六方结构则是Al-N长短交替,是不是很像C18?具体机制这里我不过多阐述,但至少大家在处理这样的体系并不会因为算不准就去固定键长,否则和拿个剪刀算符去强行把能带宽度拉宽的做法也没区别。当然,拿C18这个例子出来说的原因不止于此,更重要的问题是,实际上如果你可能用PBE和杂化泛函分别做,能够让Al-N长度交替所需要的的厚度其实可能会不一样。
sobereva 发表于 Post on 2024-6-14 02:01:14
体相结构为三维共价晶体,不代表很薄的slab结构也能维持体相结构状态,环境有截然不同。如果目的是模拟晶体表面,这么冻住底层是恰当的
当前没必要开smearing
桂の猿 发表于 Post on 2024-6-13 20:29:20
之前优化一共进行了18轮后结束,出现了如前所述错误
这一次我固定了底部2层原子,现在第9轮了,没有问题。
看文献,有些会在底部的N上加一个H原子作为补偿,我现在也算上了,有结果以后,会来回帖

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