求助：castep计算的SnTe能带结构与报道文献不符合

正文摘要:

最近入手使用Materials studio的castep计算SnTe这类半导体的一些能带和DOS，目的是能够实现接近文献报道的能带结构（重要参考值：带隙和∆EL-Σ），按照多篇文献中给出的参数 和 自己优化的截断能/K网格参数， ...