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求助:Multiwfn后处理TDOS峰高很高,而PDOS却很低

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发布时间: 2024-7-29 13:12

正文摘要:

老师好, 我利用Multiwfn处理cp2k生成的.molden文件 我的模型如图,结构文件,是TMAl在Si表面的吸附,吸附过程伴随分解,分解为了CH3*和DMAl* 请问TDOS和PDOS如此大的高低差距,是因为Si的数量远多于Al所造成 ...

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桂の猿 发表于 Post on 2024-8-2 13:58:53
sobereva 发表于 2024-7-30 06:20
就是你说的原因。可以忽略

另外,光从DOS分析很抽象,结合Multiwfn还有更好的分析途径:

谢谢老师
sobereva 发表于 Post on 2024-7-30 06:20:01
就是你说的原因。可以忽略

另外,光从DOS分析很抽象,结合Multiwfn还有更好的分析途径:
使用Multiwfn对周期性体系做键级分析和NAdO分析考察成键特征
http://sobereva.com/719http://bbs.keinsci.com/thread-47176-1-1.html

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