Daniel_Arndt 发表于 2024-8-15 10:27
之前我同学算镍的时候，试了几个泛函算单点能，结果都跟实验吻合得不好。后来用ORCA的DLPNO-CCSD(T)来算单 ...

感谢建议～ 我还没有尝试DLNPO-CCSD(T)，体系有些过大。不过各种计算过渡金属常用的杂化泛函与双杂化泛函都试了一下，还是无法得到较低的能磊。当然，这种过渡金属+光的反应机理本身就类似于一团浆糊，也相当有可能机理本身就推错了。我再研究研究～

之前我同学算镍的时候，试了几个泛函算单点能，结果都跟实验吻合得不好。后来用ORCA的DLPNO-CCSD(T)来算单点能，问题就解决了。

需要注意的是一些镍的体系，用UHF来算DLPNO-CCSD(T)的话容易出问题。最终是用UKS来算DLPNO-CCSD(T)。

你要是计算资源足够的话，可以尝试DLPNO-CCSD(T)。但你的情况应该比我同学当时的情况更复杂。

Hantzsch酯的单电子氧化电势有0.8 V versus SCE，将Ni(I)氧化轻轻松松。因此你用纯泛函得到的结果是错的。可能是你没有收敛到稳定的波函数，也可能是存在两种稳定波函数。