vasp计算缺陷态密度，采用K点12*12*1和能带计算高对称点计算得到的态密度差异很大

正文摘要:

vasp计算带电缺陷，中性体系为电荷数为1274，计算负二价缺陷电荷数为1276。分别采用K点为12*12*1和高对称点所得到的态密度，在禁带区域差异很大。12*12*1，KMASH为0.01。