虎王 发表于 2022-1-22 00:16 对于RISC,更严格的是考察两个自旋态各自极小点到俩电子态之间MECP之间的能量差。如果不去搜索MECP,可以用绝热delta_E_ST做个近似估计,这自然需要优化S和T各自的极小点 |
sobereva 发表于 2017-3-6 16:22 ISC和RISC一般都不发生在激发态最低振动能级之间。那么请问为何优化激发态后讨论RISC更好呢? |
小范范1989 发表于 2017-3-6 21:35 为什么绝热能差不能直接用那个2个电子伏相减。恳请仁兄解答。 |
liuxm 发表于 2017-3-7 14:41
jacs.6b12124.pdf
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小范范1989 发表于 2017-3-6 15:57 仁兄,这篇JACS能不能给个地址啊,我想看看,对TADF材料只是有接触,虽然不研究他,也想了解了解。嘻嘻 |
小范范1989 发表于 2017-3-6 21:57 嗯嗯,谢谢啦! |
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你好,这里的到这着,使用这个软件 uestudio。查找的时候,从文件末尾往前找 jacs的文章 Up-conversion Intersystem Crossing Rates in Organic Emitters for Thermally Activated Delayed Fluorescence (TADF): Impact of the Nature of Singlet vs. Triplet Excited States 明天我仔细读一下,之前就是浏览了一下。有问题再和仁兄讨论。 |
小范范1989 发表于 2017-3-6 21:35 非常感谢!前几个问题解释的很详细,已经明白了,学到了很多~ 我刚接触还不熟悉这些,所以还有问题,还要麻烦解答: 1. 这个“倒着查找”怎么找,比如SCF Done,我每次都是从第一个找到最后一个,优化过程长的话很费时间,想问你一下怎么能倒着查,直接抓到最后一个? 2.您说的那个JACS的文章是哪篇,能给个可以查找的信息或者传上来吗,谢谢啦! 3. 您说的“几篇小文章。档次不高”能大致说下是哪几个期刊吗,我才接触计算化学,还分不清什么样的工作能发文章,能发怎么样档次的文章~ 再次感谢! |
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你好,我也是自己看了一点资料,了解的也不是很深。说一下我的理解。 1:这个问题,就是计算的问题了。关于荧光和磷光一些概念还有计算,可以先看看 sob老师的这个帖子,非常非常的好 http://sobereva.com/314 这里如果是要计算垂直能差,那就是基于S0的结构,然后做td(50-50)、至于这个50-50就是singlet和triplet一起计算,出来如下的形式: Excited State 1: Triplet-A 3.1058 eV 399.20 nm f=0.0000 <S**2>=2.000 121 ->131 0.25084 121 ->142 0.11098 123 ->131 -0.17376 124 ->131 0.47164 128 ->132 -0.17700 129 ->131 -0.27270 This state for optimization and/or second-order correction. Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) = -1837.69264810 Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density. Excited State 2: Triplet-A 3.2394 eV 382.74 nm f=0.0000 <S**2>=2.000 130 ->131 0.65932 130 ->133 -0.11968 130 ->134 -0.17054 Excited State 3: Singlet-A 3.2637 eV 379.89 nm f=0.0063 <S**2>=0.000 130 ->131 0.66857 130 ->133 -0.11552 130 ->134 -0.16898 所以这个S1-T1的vertical gap就是:0.1579eV。 2:关于垂直能查,就是上面的这种方式计算。然后绝热能查的话,就是分别优化S1和T1。sob老师帖子中应该有。关于能量如何读取, 1:你可以把优化之后的log文件,直接放到高斯view中。查看summary里面有,我记得。 2:或者搜寻exicted state 倒着搜索,就是最后一次。就是这个能量。这个能量=最后的HF能量+td能量。你可以手动算一下。 Excited State 1: Singlet-A 2.7310 eV 453.99 nm f=0.02 <S**2>=0.000 130 ->131 0.68673 This state for optimization and/or second-order correction. Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) = -1837.69717112 Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density. #p BMK/6-31g* opt td 这是我优化S1的表头。 关于T1,表头这样写#p BMK/6-31g* opt td(triplet,root=1) PS:我一般是采用01的方式哈。sob老师中帖子也说了,有 03 的方式,你看看。我采用01主要是为了和S1对应起来。 计算结果如下: Excited State 1: Triplet-A 2.8122 eV 440.88 nm f=0.0000 <S**2>=2.000 122 ->131 0.22005 123 ->131 0.24389 124 ->131 0.10107 130 ->131 0.56246 130 ->133 -0.14508 This state for optimization and/or second-order correction. Total Energy, E(TD-HF/TD-KS) = -1837.70029912 所以这个S1-T1的绝热能查为:(-0.69717112+0.70029912)*27.2116=0.085eV 3:最近我也看到了jacs那个文献,说的是严格的一样。最近也打算看看量化里面的公式推导。之前我问过一个帖子http://bbs.keinsci.com/forum.php?mod=viewthread&tid=239&extra= 这里一般这个T1是比较乱的,所以很多时候采用NTO的方式。 同时你看他的按个jacs也说了,不光与这个能差有关,还有SOC有关。 我感觉,小的能查是实现TADF的一个条件,小能查有利于实现TADF,并不是所有小gap就有TADF,这不是还有SOC吗。但是有的理论计算文章,就是通过能差衡量。比如有的计算文章,计算了实验的分子,准确计算了能查,然后基于实验分子,设计分子,算出来的能查比实验还小。(我之前几篇小文章就这个思路,档次不高)。 4:第四个问题,我第二个已经说了,应该能理解吧。 那就说一下这个调节w的lc-wpbe方法。孙老师和钟老师都在sob老师的群里,去北京参加培训的时候还碰到了两位老师。我当时咨询过孙老师这个方法。 你仔细看看文献,他没用这个方法来优化激发态,lc-wpbe的方法不支持激发态的优化。里面所有调节w的。都是单点计算。 我记得他激发态是通过cam-b3lyp优化的,要是没记错的话。 然后用lc-wpbe的方法来计算单点。 这种lc-wpbe的方法,以及adachi和张其胜老师的OHF方法,以及黄维老师的NTO方法,都是基于基态计算的。这个在论坛有讨论的帖子。 lc-blyp的方法,调节w,这个支持激发态的优化。顺带我当时组会的ppt。 个人见解,不一定准确 |
万卷书万里路 发表于 2017-3-6 19:18 偶,谢谢,当时没太注意,我以为第一个截图是新的理论计算的文章。针对这个分子,我大约两年前就算过,当时是比较两个分子,计算效率。但是计算的单分子,效率太低,结果不是很好。所以,写好了。一直没投。就扔下了。 不知道仁兄对这个工作有什么新的想法? 里面的能查,我没记错的话,实验室做的td。我们理论计算还是要优化的。 但是这个两个分子,是adachi组两个不符合他们提出的OHF方法的分子,所以。当时就做了这两个。 PS:顺带吐槽一下,这个破分子,我计算激发态和他的频率。花了我接近半年的时间,还出错,又调节。 |
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小范范1989 发表于 2017-3-6 15:57 嗯嗯,谢谢啦,我再想想。 那篇文章已经传了,就在一楼的帖子下面。 |
万卷书万里路 发表于 2017-3-6 15:43 他这叫垂直delta_E_ST,我上面说的是绝热delta_E_ST。通过后者讨论RISC更合适,但计算也显然更耗时 |
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