PLwang 发表于 2025-7-10 12:15 好的谢谢,感谢指导 |
Stardust0831 发表于 2025-7-10 00:38 非常感谢你,我再重新计算一下 |
急急国王 发表于 2025-7-9 18:48 LREAL,如果没有特殊情况,建议使用Auto,其他的参数大差不差了。再额外考虑一下+U就足够了 |
本帖最后由 Stardust0831 于 2025-7-10 00:45 编辑 急急国王 发表于 2025-7-9 18:44 请注意,您给出的cif文件中存在分数占据,如果不经处理直接用于计算,将得到极其荒缪的结果。 ![]() 您可以考虑根据化学式,选取一部分部分占据的原子,改为占据1;将其余部分删去。比如0.5占据就删一半留一半这样。 我改了一个占据数都是1的出来,仅供参考,用来算能带前最好跑一下结构优化: ![]() |
参与人数Participants 1 | eV +5 | 收起 理由Reason |
---|---|---|
| + 5 |
急急国王 发表于 2025-7-9 18:33 是某些参数选取的非常不合理吗? |
本帖最后由 急急国王 于 2025-7-9 18:47 编辑 Stardust0831 发表于 2025-7-8 01:29 电中性且是铵阳离子。加了相应卤素原子是什么意思? |
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PLwang 发表于 2025-7-7 19:56 好的 谢谢 |
建议给出结构文件。 或自行排查体系结构是否正确,需确保体系为电中性。 比如说(PEA)2PbI4二维钙钛矿,需要确认PEA是铵阳离子,并且加了相应个数的卤素离子。 |
1. 带隙计算时,应使用DFT+U来更准确地对电子进行描述; 2. 如果不使用DFT+U 且 体系的原子数目不多时,建议使用HSE06; 3. 其他建议,建议你去VASP WIKI研究一下各个参数的含义,在计算时,注意参数的合理选择。 |
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