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Na结合GTH赝势基组做优化时应当把CUTOFF设得很高,比如800,否则可能受力计算精度明显不理想。也可以改用GAPW结合诸如pob-DZVP-rev2全电子基组,这样CUTOFF 400就够。 D3对这个的优化的收敛性不会有什么影响 其它可以考虑的是优化算法用CG,或者减小步长上限。也可以考虑原胞优化+足够多的k点,优化完了再扩胞成实际需要的slab,这样快得多 |
| 参与人数Participants 1 | eV +5 | 收起 理由Reason |
|---|---|---|
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| + 5 | 感谢社长,我一个个试试看 |
1138711019 发表于 2025-8-22 13:28 D3也会影响这个吗,我试试看哈 ![]() |
| 试试先不加D3呢 |
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