Stardust0831 发表于 2025-10-5 15:13
是正常的，当前是N型掺杂，（类似于Si里掺P），掺杂以后在接近导带底的位置出现了新的占据态。这些新的占据 ...

最新的结果是，根据***意见，将LLZO电解质晶胞中的Zr原子替换为Ta原子后，再删除了一个Li原子，满足电荷补偿机制，重新计算出的带隙值为3.4eV，是否有大神能够解释下这种电荷补偿机制呢？

Stardust0831 发表于 2025-10-5 15:13
是正常的，当前是N型掺杂，（类似于Si里掺P），掺杂以后在接近导带底的位置出现了新的占据态。这些新的占据 ...

感谢大神回复，一个Ta原子的掺杂浓度并不是很高，但是带隙减小幅度大（4eV到0.5eV）也是正常的吧？
因为接触计算还不是很久，就担心是不是自己没有计算对，希望大神还能回复一下

是正常的，当前是N型掺杂，（类似于Si里掺P），掺杂以后在接近导带底的位置出现了新的占据态。这些新的占据态属于掺杂时带来的未成键电子，这些电子可以很轻松的被激发到导带而导电。

或者可以用Si的体系来理解，Si本身难导电，但是掺杂了P以后GAP变小，导电性变好（电子作为载流子）。你的体系也是类似。