当前的问题问得缺乏逻辑。标题里说位阻，但正文里对位阻只字未提，只提及了N位点自身的差异

单从N原子自身来说，Multiwfn计算出的表面静电势极小点数值和配位能力有一定关系，但建议同时结合ALIE，看下文
使用Multiwfn和VMD绘制平均局部离子化能(ALIE)着色的分子表面图（含视频演示）
http://sobereva.com/514（http://bbs.keinsci.com/thread-14632-1-1.html）
使用Multiwfn的定量分子表面分析功能预测反应位点、分析分子间相互作用
http://sobereva.com/159
静电势与平均局部离子化能相关资料合集 http://bbs.keinsci.com/thread-219-1-1.html
ALIE越小说明电子越容易被极化，越容易配位

大范围pi共轭效应对特定位点带电的影响很复杂，不能光简单从部分基团的位置、数目来说事。恰当的计算方式实际算出来是什么就是什么，显然比自己臆想的合理

至于位阻这事，光拿配体自身没法说实际配位时位阻的大小，而必须结合被配位的对象来说。

此外，要衡量位阻本身，可以计算Tolman angle，或用SambVca（https://www.aocdweb.com/OMtools/sambvca2.1/index.html）等程序进行位阻分析

你如果比表面静电势的话，这个结果定性合理，因为苯环越多共轭体系越大（虽然联苯的共轭可能不是特别好），你的负电就越分散，至于定量上我不知道为什么是这样
你要比配位能力为什么不直接算配位反应的deltaG呢？

直接配位在金属上，对比delta-G的变化？位阻不就是配位能力的一部分吗？delta-G反应的是位阻和电子效应综合的结果。