冰释之川 发表于 2017-5-11 08:15 理解了,谢谢冰老师 |
redfoxs 发表于 2017-5-11 06:19 你这两个点的波函数文件都得要S1结构的坐标。 |
冰释之川 发表于 2017-5-11 06:06 冰老师,您好!sober老师的第一步是#p b3lyp/6-31+G* out=wfn nosymm,第二步是#p b3lyp/6-31+G* out=wfn td(root=1,singlet) density,这里面都是用的同一个结构,第一步是优化基态结构,第二步是优化激发态结构,我的理解对吗,您说的都用S1的结构,是说输入的坐标文件要一样吗? |
redfoxs 发表于 2017-5-11 06:04 研究荧光过程的EDD,就都用S1结构 |
sober老师,您好,非常感谢您的回复,您的意思是说两次优化都用最开始的那个结构:即优化S1不用S0优化后的结构? |
你分别优化两个结构,结构都不同,显然求密度差毫无意义 计算电子激发的密度差的时候只能用一个结构。研究荧光过程的密度变化就都用S1优化的结构,研究吸收过程的密度的变化就都用S0优化的结构。 跟溶剂效应毫无关系。 不用nosymm关键词的话,结构会被自动平移旋转到标准朝向,看此文 谈谈Gaussian中的对称性与nosymm关键词的使用 http://sobereva.com/297 另看此文绘制电子激发过程的密度差的例子 使用Multiwfn作电子密度差图 http://sobereva.com/113 手册4.18.3节也有例子 |
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