| emmmm你要不试试拿CP2K算VASP得到的IS\TS\FS的能垒试试?这样就能看看是结构带来的能垒误差还是能量计算带来的了 |
| 我的话也许会先交换vasp和cp2k的TS结构算算单点看,至少一下可以看出来是结构的问题(TS搜索workflow的问题)还是软件(基组,cutoff)的问题 |
| 参与人数Participants 1 | eV +2 | 收起 理由Reason |
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| + 2 | 赞同!我也是一样的想法! |
sobereva 发表于 2026-3-27 23:05 嗯嗯 好的 老师 我会尝试一下 |
yxdd98 发表于 2026-3-27 23:43 感谢回复,VASP有两篇文献支撑,文献和我的VASP值是接近的,所以不得不从CP2K着手思考。 |
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 23:01 看了一下帖子里的讨论,目前vasp和cp2k计算得到的结构是很接近的,你也对cp2k计算能量做了很多的调整和改进,那或许你该考虑一下vasp在计算能量时是否存在误差呢,我建议可以检查下vasp计算的精度或者引入第三方软件,比如QE等(按理说两个软件计算出来的结构类似,那其实直接用已有结构做单点就行)来做进一步仲裁 |
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 23:01 设置可以,Bi也提升基组档次更好。记得用method GAPW 我拒绝使用VA$P,不做评论 |
sobereva 发表于 2026-3-27 22:52 那老师我输入文件这么设置: &KIND Mg ELEMENT Mg BASIS_SET pob-TZVP-rev2 POTENTIAL ALL &END KIND &KIND Bi ELEMENT Bi BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q5 POTENTIAL GTH-PBE &END KIND BASIS_SET_FILE_NAME BASIS_pob BASIS_SET_FILE_NAME BASIS_MOLOPT POTENTIAL_FILE_NAME POTENTIAL 您看可以吗? 还有您过往经验,CP2K和VASP值是不是应该是结果尽可能接近?我把初末结构和过渡态拿TZV2P-MOLOPT-SR-GTH进行计算,最后diffusion barrier的值从1.400467083eV降到了1.201803126eV,但仍和VASP的结果0.773607eV,存在差别 |
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 16:29 通常对于NEB、振动分析、找过渡态目的,DZVP-MOLOPT-SR-GTH就够了,而且你也说了CP2K得到的坐标和VASP接近,所以没必要用TZVP-MOLOPT-GTH做NEB 结果差异除了用的基函数不同外,也可以来自于赝势的不同。也可以试试改用更严格的全电子基组,此时就没有赝势层面的误差了(但和VASP比时,VASP的赝势当然也会有误差) |
Ying_Zhang 发表于 2026-3-26 16:21 基组名字必须说准确,TZV2P-GTH和TZV2P-MOLOPT-PBE-GTH的耗时和精度都有天壤之别,后者耗时和精度都高得多 拿不准就做CUTOFF和REL_CUTOFF收敛性测试。数值偏小会导致计算精度差。若简单按照基组的最大GTF指数判断,对Mg而言上述两个基组下CUTOFF用到最多700就够了,不至于1000的离谱程度 我不使用VA$P,除了基组以外的设置(如泛函、k点等)能接近的情况下要尽可能接近避免引入带来差异的因素 |
wolfli369 发表于 2026-3-26 20:04 哦哦好的 感谢回复 我尝试一下 感谢建议 ![]() |
Ying_Zhang 发表于 2026-3-26 16:19 Mg全电子基组能降低CUTOFF,有利于提高计算效率。如果能量计算不准,理论上能带来结果误差 |
nuonuo123456 发表于 2026-3-26 08:57 那想问一下,CUTOFF不够高,是不是导致产生误差的潜在原因? |
wolfli369 发表于 2026-3-26 06:49 感谢回答,所以想再咨询两个问题: 1)Mg采用全电子基组和GTH赝势基组,除了对CUTOFF的值有影响,从而影响计算效率,对CI-NEB也会有影响? 2)基于问题1),是不是我拿GTH赝势基组的原因,CUTOFF值不够大,从而导致计算误差? 感谢回复以及再次解答 |
| 好像Mg的截断能在CP2K里面要到1000以上了,如果要是全电子基组可以不设这么高的截断。 |
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