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CP2K和VASP的CINEB的能量势垒存在差别

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发布时间: 2026-3-26 05:30

正文摘要:

本帖最后由 Ying_Zhang 于 2026-3-27 21:57 编辑 想请各位老师分析一下,为什么VASP和CP2K采用相同初末结构,相同反应路径,且最后得到的过渡态位置接近,但是能垒却存在差别。 1)下面三个文件,是在VASP的计算 ...

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northern_mar 发表于 Post on 2026-3-30 10:13:55
emmmm你要不试试拿CP2K算VASP得到的IS\TS\FS的能垒试试?这样就能看看是结构带来的能垒误差还是能量计算带来的了
chieko 发表于 Post on 2026-3-29 22:53:26
我的话也许会先交换vasp和cp2k的TS结构算算单点看,至少一下可以看出来是结构的问题(TS搜索workflow的问题)还是软件(基组,cutoff)的问题

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Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-28 00:09:48
sobereva 发表于 2026-3-27 23:05
设置可以,Bi也提升基组档次更好。记得用method GAPW
我拒绝使用VA$P,不做评论

嗯嗯 好的 老师 我会尝试一下
Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-28 00:09:26
yxdd98 发表于 2026-3-27 23:43
看了一下帖子里的讨论,目前vasp和cp2k计算得到的结构是很接近的,你也对cp2k计算能量做了很多的调整和改 ...

感谢回复,VASP有两篇文献支撑,文献和我的VASP值是接近的,所以不得不从CP2K着手思考。
yxdd98 发表于 Post on 2026-3-27 23:43:00
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 23:01
那老师我输入文件这么设置:
    &KIND Mg
      ELEMENT Mg

看了一下帖子里的讨论,目前vasp和cp2k计算得到的结构是很接近的,你也对cp2k计算能量做了很多的调整和改进,那或许你该考虑一下vasp在计算能量时是否存在误差呢,我建议可以检查下vasp计算的精度或者引入第三方软件,比如QE等(按理说两个软件计算出来的结构类似,那其实直接用已有结构做单点就行)来做进一步仲裁
sobereva 发表于 Post on 2026-3-27 23:05:20
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 23:01
那老师我输入文件这么设置:
    &KIND Mg
      ELEMENT Mg

设置可以,Bi也提升基组档次更好。记得用method GAPW
我拒绝使用VA$P,不做评论
Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-27 23:01:54
sobereva 发表于 2026-3-27 22:52
通常对于NEB、振动分析、找过渡态目的,DZVP-MOLOPT-SR-GTH就够了,而且你也说了CP2K得到的坐标和VASP接 ...

那老师我输入文件这么设置:
    &KIND Mg
      ELEMENT Mg
      BASIS_SET pob-TZVP-rev2
      POTENTIAL ALL
    &END KIND
    &KIND Bi
      ELEMENT Bi
      BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH-q5
      POTENTIAL GTH-PBE
    &END KIND

    BASIS_SET_FILE_NAME  BASIS_pob
    BASIS_SET_FILE_NAME  BASIS_MOLOPT
    POTENTIAL_FILE_NAME  POTENTIAL
您看可以吗?
还有您过往经验,CP2K和VASP值是不是应该是结果尽可能接近?我把初末结构和过渡态拿TZV2P-MOLOPT-SR-GTH进行计算,最后diffusion barrier的值从1.400467083eV降到了1.201803126eV,但仍和VASP的结果0.773607eV,存在差别
sobereva 发表于 Post on 2026-3-27 22:52:36
Ying_Zhang 发表于 2026-3-27 16:29
感谢sob老师回复,我做过了Mg的CUTOFF和REL_CUTOFF的收敛性测试,所以使用的CUTOFF 700和REL_CUTOFF 70。 ...

通常对于NEB、振动分析、找过渡态目的,DZVP-MOLOPT-SR-GTH就够了,而且你也说了CP2K得到的坐标和VASP接近,所以没必要用TZVP-MOLOPT-GTH做NEB

结果差异除了用的基函数不同外,也可以来自于赝势的不同。也可以试试改用更严格的全电子基组,此时就没有赝势层面的误差了(但和VASP比时,VASP的赝势当然也会有误差)
sobereva 发表于 Post on 2026-3-27 05:57:52
Ying_Zhang 发表于 2026-3-26 16:21
那想问一下,CUTOFF不够高,是不是导致产生误差的潜在原因?

基组名字必须说准确,TZV2P-GTH和TZV2P-MOLOPT-PBE-GTH的耗时和精度都有天壤之别,后者耗时和精度都高得多
拿不准就做CUTOFF和REL_CUTOFF收敛性测试。数值偏小会导致计算精度差。若简单按照基组的最大GTF指数判断,对Mg而言上述两个基组下CUTOFF用到最多700就够了,不至于1000的离谱程度
我不使用VA$P,除了基组以外的设置(如泛函、k点等)能接近的情况下要尽可能接近避免引入带来差异的因素
Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-26 20:40:26
wolfli369 发表于 2026-3-26 20:04
Mg全电子基组能降低CUTOFF,有利于提高计算效率。如果能量计算不准,理论上能带来结果误差

哦哦好的 感谢回复 我尝试一下 感谢建议
wolfli369 发表于 Post on 2026-3-26 20:04:53
Ying_Zhang 发表于 2026-3-26 16:19
感谢回答,所以想再咨询两个问题:
1)Mg采用全电子基组和GTH赝势基组,除了对CUTOFF的值有影响,从而影 ...

Mg全电子基组能降低CUTOFF,有利于提高计算效率。如果能量计算不准,理论上能带来结果误差
Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-26 16:21:08
nuonuo123456 发表于 2026-3-26 08:57
好像Mg的截断能在CP2K里面要到1000以上了,如果要是全电子基组可以不设这么高的截断。

那想问一下,CUTOFF不够高,是不是导致产生误差的潜在原因?
Ying_Zhang 发表于 Post on 2026-3-26 16:19:57
wolfli369 发表于 2026-3-26 06:49
Mg改用全电子基组计算完再下结论

感谢回答,所以想再咨询两个问题:
1)Mg采用全电子基组和GTH赝势基组,除了对CUTOFF的值有影响,从而影响计算效率,对CI-NEB也会有影响?
2)基于问题1),是不是我拿GTH赝势基组的原因,CUTOFF值不够大,从而导致计算误差?
感谢回复以及再次解答
nuonuo123456 发表于 Post on 2026-3-26 08:57:28
好像Mg的截断能在CP2K里面要到1000以上了,如果要是全电子基组可以不设这么高的截断。

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