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Inv3 failed in PCMMkU (L502/L508 报错) 的成因与解决方法

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liyuanhe211

发布时间: 2017-9-6 02:00

正文摘要:

本帖最后由 liyuanhe211 于 2017-9-7 14:56 编辑近日遇到一个比较罕见的报错，形式如下 (Enter /home/g16/l502.exe) Integral symmetry usage will be decided dynamically. Closed shell SCF: Using DIIS ...

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JCenter 发表于 Post on 2025-2-15 21:56:39

gaoxiaobaiya 发表于 2025-2-3 12:56
您好，想请问一下您解决了吗？还需要ses吗

不需要了，sas优化完结构后，直接使用默认的范德华表面计算能量就行

gaoxiaobaiya 发表于 Post on 2025-2-3 12:56:35

JCenter 发表于 2023-8-10 11:11
老师，我有一个疑问。当我进行结构优化时出现这个报错时，我在使用surface=sas完成结构优化时，还需要使用s ...

您好，想请问一下您解决了吗？还需要ses吗

pingju 发表于 Post on 2024-8-31 10:47:06

lei234 发表于 2018-3-31 03:24
老师您好，以下是我理解该问题的解决办法，请您过目，如有不对，麻烦予以改正，在此谢过！
1）进行sas 优 ...

我用您这个方法，不行

pingju 发表于 Post on 2024-8-30 21:07:55

今天我也遇到了这个问题，博主您这个问题怎么解决的？请教

日暮知心 发表于 Post on 2024-7-26 10:18:18

请问这种问题能不能通过scrf=iterative解决？我试过前面提到的方法但还是报同样的错

Freeman 发表于 Post on 2024-5-10 14:52:11

本帖最后由 Freeman 于 2024-5-10 14:55 编辑

奇怪啊。手册上说SAS可以在SCRF关键词里指定，只能算单点能，跟高斯客服说法不一样啊。

而且我发现有时结构和相对能量，加不加SAS差别很大，到了影响定性分析的程度。

zhang123 发表于 Post on 2024-5-9 10:00:19

您好，请问您的问题解决了嘛？我是用gaussian 16B.01算的单点能，输入文件如下：
%oldchk=Co_P_2_1_gas-sp.chk
%chk=Co_P_2_1_solv-sp.chk
#p ub3lyp/6-31+g* guess=read geom=allcheck scrf=g03defaults，也出现了一样问题，我看了一下G03默认的就是SES表面，不知道为啥还会报错呢？求大佬指点一下

S221100847 发表于 Post on 2023-12-28 17:21:37

您好，想请教下，我这样写这个功能可以被使用吗

202312281720214616..png (8.56 KB, 下载次数 Times of downloads: 56)

JCenter 发表于 Post on 2023-8-10 11:11:24

老师，我有一个疑问。当我进行结构优化时出现这个报错时，我在使用surface=sas完成结构优化时，还需要使用ses表面计算单点吗。我直接用sas优化的结构在更高的计算级别单点能，使用默认的表面不可以吗。

Winnie1998 发表于 Post on 2022-10-16 11:34:19

各位老师好，我在结构优化的时候出现了上述报错，结构优化已经进行到第58帧，请问是要选取最后一帧的结构修改关键词后继续优化吗？还是要重新开始？

laplacesuanzi 发表于 Post on 2022-10-2 22:00:12

本帖最后由 laplacesuanzi 于 2022-10-2 22:15 编辑

我最近也遇到了相同的问题，一模一样的报错。关键词最开始为“#p opt freq b3lyp scrf=(solvent=generic,read) em=gd3bj tzvp”，通过参考http://sobereva.com/61，我在关键词中又加上了“SCF=noincfock”，这个问题就解决了。感谢卢天老师。

202210022213575792..png (95.26 KB, 下载次数 Times of downloads: 101)

202210022213157690..png (70.33 KB, 下载次数 Times of downloads: 58)

GoldenBaby 发表于 Post on 2022-7-24 12:07:46

量化小菜鸡发表于 2021-5-11 16:22
你比较能量和自由能矫正了吗，我也遇到这种问题。我最后优化清一色全改IEFPCM去优化了，最后SMD做单点。

好像IEFPCM也会出现这种情况，目前个人觉得比较好的解决方案还是用能算的模型跳过不行的结构再接着切回来吧

ionexchangeC 发表于 Post on 2022-3-19 22:04:29

我在计算中发现溶剂空腔问题会导致原本高对称性的结构出现不合理的虚频。（B3LYP/def2-TZVP级别）在气相下优化[Ca(H2O)6]2+水合钙离子的结构，得到的结构为Th点群，振动分析后没有虚频；但改在溶剂模型下优化，得到的Th点群分子出现了6个虚频（使用SMD溶剂模型优化时则出现了21个虚频）。破坏对称性后继续优化，结构震荡难以收敛，尝试各种手段时偶然出现该报错，于是用GaussView打开输出文件观看溶剂化表面，发现取的空腔明显偏小（SMD则更小）。重新用高对称性的结构加上surface=SAS在溶剂模型优化，优化后Th点群保持并且没有虚频。也顺便试了下加上关键词surface=SES优化，结果在第一步优化的SCF迭代过程中就提示“Density matrix breaks symmetry”。

pzl 发表于 Post on 2022-2-20 02:12:42

用bp86(d)/def2svp 算了一个乙烷的，发现在sas孔洞模型的时候，能量高一点，可能是体积大了，相互极化的小一点。然后ses和vdw差不多，因为体积几乎没差

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