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[综合交流] 模拟过程中材料表面水分子挥发如何解决

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各位老师好,小弟最近在模拟材料和水的界面(因为上下表面不同,只研究上表面,所以没有做成材料在中间,水分子在两边的样子),格子高15nm,材料厚3nm,水层厚2nm,vdw的cutoff0.9m,静电用PME加和。发现md过程中有些水分子会挥发,因为格子是xyz周期性的,这些挥发掉的水分子会吸附在z方向镜像的材料下表面上,请问这种情况应该怎么解决?小弟拜谢!

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发表于 Post on 2020-3-6 14:54:17 | 只看该作者 Only view this author
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-3-6 20:50:55 | 只看该作者 Only view this author

多谢sob老师,小弟在采用如下设置模拟后发现仍然有部分水分子从z方向跨越墙跑上去,不知为何,是否mdp设置有误?
pbc=xy
nwall=2
ewald-geometry=3dc
wall-type=12-6
wall-r-linpot=2
wall-atomtype=C C
wall-ewald-zfac=3

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