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本帖最后由 南山忆 于 2020-4-9 16:46 编辑
我是MS的新手,想请教一下各位老师CASTEP板块下计算吸附模型的吸附能问题。
这次我是根据一篇文献建立SiO2_quartz_beta平面吸附二氧化碳分子的模型,在文献中关于模型的设置描述如下:
采用Materials Studio 2016数据库提供的SiO2_quartz_beta模型,晶格常数为a=b=5.01 Å,c=5.47 Å,α=β=90°, γ=120°,优化后建立p(2×2)超晶胞作为初始模型并截取(100)面,建立厚度20 Å的真空层,模拟β-SiO2(100)面并对其继续结构优化. 为减少运算量以及弱化基底厚度影响,吸附计算前弛豫表面,即对表面Si原子以外的原子进行固定而表层硅原子与吸附质在结构优化计算中位置可变. 吸附质与表面的距离试算后设为4 Å,在覆盖度θS[30]为0.25ML(monolayer)的条件下对吸附情况进行研究.
我建立模型的过程大概是:优化二氧化硅晶格、构建并优化二氧化碳、构建二氧化硅表面、添加二氧化碳分子到平面上并优化,在后续分析过程中,我利用CASTEP的ANALYSIS功能分别计算了模型的分态密度以及吸附能,分态密度图与文献吻合,但是吸附能与文献相差0.92048.
此外我在这个过程中设置的各收敛精度、平面波截断能、K点网格尺寸都是按照文献设置的,在发现问题之后,确定晶格设置时不选优化cell,吸附高度也没问题,最后计算模型如下,希望各位老师不吝赐教。
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