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计算化学公社»论坛首页 › 理论与计算化学 (Theoretical and Computational Chemistry) › 第一性原理 (First-principles) › 表面掺杂计算
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[综合讨论] 表面掺杂计算

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小白装大神

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楼主
发表于 Post on 2015-10-14 16:02:04 | 只看该作者 Only view this author 回帖奖励 |倒序浏览 Reverse view |阅读模式 Reading model
正在做GaAs表面掺N计算其表面掺杂形成能，N原子取代As没什么问题，但是N原子取代Ga原子时要不要考虑电荷补偿效应，之前没有考虑，算出来的结果不合理。还有间隙掺杂，表面计算要不要考虑这种情况，看了几篇文献都只做的是替位掺杂。希望各位可以指导一下，谢谢！
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