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[综合交流] silvaco软件求助

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课题需要研究ICP刻蚀中射频功率,压强,气体流量等工艺参数对刻蚀的影响,我现在用的是silvaco里的等离子体etch功能,过程中产生一些问题
vpdc,vpac哪一个可以用来代表自偏压,是不是可以用来代表前向功率?

nparticles离子数是不是可以理解为离子密度,进而代表ICP功率大小?

Qio和Qcht又代表什么?

气体流量可以用什么参数模拟?


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发表于 Post on 2021-3-31 12:34:19 | 只看该作者 Only view this author
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