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楼主 Author: zhb
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[新手求助] 求助HOMO 和 LUMO 之间的能隙与吸收光谱关系

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发表于 Post on 2024-12-12 20:45:17 | 只看该作者 Only view this author
cokie 发表于 2024-12-12 20:17
没什么关联。
可能是我把结论放在推论中所以你没注意到,这是我的问题。

抱歉,老师。
我的理论计算是使用VASP计算。计算参数为(All of the first-principles calculations were carried out based on the Kohn-Sham density functional theory (DFT) with the Vienna Ab-initio Simulation package (VASP).[42] The convergence criteria of the energy in electronic SCF iterations and the force in ionic step iterations are 1.0 × 10-8 and 5.0 × 10-2 eV, respectively. The generalized gradient approximation as parameterized by Perdew, Burke, and Ernzerhof (PBE) for exchange–correlation functional and Gamma-centered k-points sample mesh of 3 × 3 × 2 were used. )
Band gap是用态密度的差值,MOFs直接取得解出的Cif结构。

审稿人的问题是:5. In Figure 4c, it can be observed that the band gaps have some difference. However, the trend is inconsistent with the fluorescence emission wavelength. Author should explain this.
请问我应该如何回复审稿人(给老师添麻烦了,初学者好多都不懂


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发表于 Post on 2024-12-12 21:20:33 | 只看该作者 Only view this author
cccxq 发表于 2024-12-12 20:45
抱歉,老师。
我的理论计算是使用VASP计算。计算参数为(All of the first-principles calculations wer ...

如果是半导体材料的话,带隙确实和发射有关系。
但如果材料有较宽的发射峰那大概率材料的带隙是间接带隙而非直接带隙,想研究发射和带隙的关系,直接取峰值是不科学的,而应该采用tauc plot。

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发表于 Post on 2024-12-12 21:42:51 | 只看该作者 Only view this author
cokie 发表于 2024-12-12 21:20
如果是半导体材料的话,带隙确实和发射有关系。
但如果材料有较宽的发射峰那大概率材料的带隙是间接带隙 ...

老师,您好,我明白了,有相关文献可以推荐吗,我去引用例证下

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