求助：VASP模拟退火的具体步骤

雪间雾里松

最近在做过渡金属氧化物的AIMD，想得到氧化物的无定型态，参考文献“To approach a realistic amorphous structure, a fixed volume NVT ensemble has been used for ab-initio molecular dynamics (AIMD) to conduct an analog annealto-quench process from 1200 to 300 K.”（DOI：10.1002/aenm.202100757）
想请问各位老师，VASP模拟退火的具体步骤，我查阅资料后理解的方法如下：

step1 晶体结构在1200K下、NVT系综中平衡（TEBEG=1200K, TEEND=1200K，SMASS≥0）
step2 上一步得到的CONTCAR→POSCAR，进行退火（TEBEG=1200K, TEEND=300K, SMASS=-1）


不知道理解得对不对，是否需要进行升温过程的模拟？敬请各位老师指教，万分感谢！