表面吸附算完吸附能，还能算什么性质呢。

lc00

卡开发发 发表于 2016-4-29 21:13
如果电荷转移的前置过程是吸附的话，我觉得差分电荷岂不是很好？

     优化好吸附的结构，然后再算差分电荷。效果应该和他所说的那篇文献一样。

卡开发发

lc00 发表于 2016-4-29 21:58
优化好吸附的结构，然后再算差分电荷。效果应该和他所说的那篇文献一样。

是啊，甚至比仅仅考虑HOMO和LUMO还要再好一点。

止水

又学到一些知识，，，加油

liu_tiao

卡开发发 发表于 2016-4-26 14:09
晶体虽没有HOMO/LUMO，但是有HOCO/LUCO，然而晶体轨道（CO）并不是常规所使用的Bloch表象下的表示，需要F ...

      卡哥，又来抱你大腿了。我想请问一下，表面吸附结构优化完成之后。后续的DOS，电荷密度差分，原子电荷等性质的时候，VASP计算参数怎么样设置呢。结构优化使用400 ev，3乘以2乘以1，泛函是GGA+PBE+DFT-D2。结构优化，可以通过能量来进行测试一哈。性质计算的参数设置没啥经验。

卡开发发

liu_tiao 发表于 2016-5-26 21:54
卡哥，又来抱你大腿了。我想请问一下，表面吸附结构优化完成之后。后续的DOS，电荷密度差分，原子 ...

DOS应该比较简单，做一次自洽非自洽就行，如果追求精度可以把kpoints提上去，smearing降下来甚至ismear=-5；vasp做电荷密度差我没做过，真要做的话教程找找也能找到一大把，核心是密度网格必须数目一致；原子电荷的话比较容易的是采用Bader电荷，程序也都是现成的，上手难度不高，Mulliken和NBO实现上会复杂很多。其他问题也给不了太多建议了。

个人觉得结构弛豫400eV的截断能偏低，最好测试一下。

xiaoxiaofengyu0

jiewei 发表于 2016-4-22 10:38
吸附分为化学吸附和物理吸附，不过无论是化学吸附还是物理吸附都可以从这篇文章中的分析手段和方法中得出一 ...

“The Mulliken charge was investigated and is summarized in
Table 1. The results suggest that 5–8–5 defect part, including
14 atoms (ESI,† S5), is electron-rich about 0.082 e. Due to the
electron-donor properties of TTF, there are 0.295 e transfer
from TTF to DG (Table 1) similar to the pristine graphene.30
The charges are mostly trapped by the pristine part of 5–8–5 DG
and only 0.043 e trapped by defect part. TCNQ and F4TCNQ
with electron-attraction property obtained 0.240 and 0.354 e
from DG, respectively. The charges redistribution of defect part
for TCNQ and F4TCNQ is very similar which is about 0.057 and
0.052 e, respectively. It is peculiar that there is very little
electron transition (about 0.030 e) from DG to FNa although
FNa is a strong electronic withdrawal molecule. The Mulliken
charge analysis indicates that the interactions between TCNQ/
F4TCNQ and DG are strong and the electronic structure may be
influenced profoundly compared with TTF and FNa  ”

大神，请教一下，0.057和0.052是怎么计算出来的，我用您表1里的分子电荷减轻缺陷电荷发现对不上。