castep算窄带隙材料能带时，选hse06的结果却比实验大很多，应该如何调整

卡开发发

zhuyl 发表于 2023-4-20 21:38
我做了基本的几个赝势测试，在ggapbe下的，像图片里的组合，标黄的组合得到了0.38eV的带隙，但是很纠结总 ...

能量稍微高一些意味着更少的电子作为价层参与计算，这种赝势有可能会出现我提到的可转移性比较差，即能够适用的体系比较有限。In-00.recpot的赝势文件当中有相关的一些描述你可以看看，凑数凑出来的gap 0.38 eV不一定合理，有可能能带结构是不正确的。

综合以往测试集，OTFG的USPP很可能给出PBE下比较合理的结果，以及Materials Project上也给出了gap为0的结果，可以进行对照。如果对这些结果也不信任，那么应当使用全电子计算的结果作为参考（例如Wien2K或者ELK），原则上说赝势计算要复现全电子计算的结果，选择赝势也是按照这个原则。

另外这个体系从测试结果上说HSE06没那么糟糕。其他方法本质上都比较接近，HSE的痛点是ω选取仍然是经验性的，但相对来说操作上就稍微黑箱化一些。