vasp改变POSCAR计算应力的问题

ljq555

       各位老师好，最近计算一个任务，实验部分给的信息是一个材料b轴14nm时晶体压缩最厉害，并且此时带隙取到最小值，要求用计算模拟说明。因为做不到14nm的模型，所以想通过证明随着晶胞压缩带隙先减小后增大来证明这个问题。想问一下这种想法是否正确。如果可以这样做的话如何选取模型，直接用所给的晶胞改变POSACR，还是以这个晶胞作为一层，在上面加真空层当做计算的模型。