隐式溶剂模型通过NELECT参数加剩余电荷的结构优化问题

xueye123

我看到很多文献在计算固液界面体系时用VASPSOL计算隐式溶剂化模型时，通过加入INCAR中的NELECT参数加入背景电荷，可以影响催化剂（主要是slab模型）的吸附性能以及吸附小分子的构型。然而在我自己尝试计算的时候碰到了这样的问题，通过VASPSOL在二维石墨烯的体系中加入隐式溶剂模型后，可以正常对体系进行结构弛豫，且弛豫后构型相比未加隐式溶剂时有一定改变，然而在INCAR中设置NELECT参数加入-1.5~1.5（文献常用）的背景电荷后（其余INCAR参数基本未变），对同样的初始结构进行弛豫时只跑了一个离子步就结束了也没有任何报错（除了警告电荷数与POTCAR中不同），CONTCAR与POSCAR也完全一致说明结构并未弛豫，想问大佬们这是正常的吗？还是说出了什么问题呀，附上未添加电荷的INCAR和添加0.5e电荷的INCAR如下所示：
      

ss-wyj

你好，我也遇到了类似的问题，请问您解决了嘛