求助：Vasp计算In2O3ELF图，表面氧空位电子离域

让风推动帆船

用Vasp计算了一个Co-Vo-In2O3表面的ELF，想看看表面氧空位与钴原子之间是否存在电子传输通道（看别人文章的思路，见下图）

可是我的结果表面氧空位电子离域，不符合文献和逻辑，想问问老师们这可能是什么原因导致的？



这是INCAR的设置参数

   PREC   = High
   ENCUT  = 450 eV
   NELMIN= 5
   LREAL = Auto   
   ALGO = Fast
   EDIFF  = 1E-6  
   NCORE = 10     
   NELM = 100
   ICHARG = 2
   NSW    = 0
   IBRION = -1
   LCHARG = T   
   LELF =  T
   LREAL = F
   LVHAR = T
   LREAL = Auto
   IVDW = 11

sobereva

体系自身的差异，或者计算级别的差异，或者其它设定差异（净电荷等）
排除前者可能，先去重复文献里相应体系
排除后者可能，用文献里相同计算级别，特别是泛函。注意纯泛函容易导致电子过度离域，可考虑杂化泛函（VASP杂化泛函是否算得动我不清楚，CP2K用杂化泛函算这种规模的体系轻轻松松）

让风推动帆船

sobereva 发表于 2024-5-21 00:32
体系自身的差异，或者计算级别的差异，或者其它设定差异（净电荷等）
排除前者可能，先去重复文献里相应体 ...

好的，谢谢sob老师，按照您的回复，我排除一下问题。非常感谢。