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[VASP] 求助获得一定能量范围轨道对应的LDOS

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楼主
为了模拟STM的隧穿电流,我希望在VASP中得到一定能量范围轨道对应的LDOS实空间分布,是否有办法生成这样的格点文件。
鉴于手册上的模拟STM图像的做法是基于partial charge density,而非直接的态密度,很好奇这两者在模拟STM图上的区别
此外,使用partial charge density给出的PARCHG的格点值(电子密度)在分子上方稍远处出现负值,不知道如何合理的解释

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