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[VASP] VASP对异质界面结构AIMD模拟升温设置合理吗

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楼主
各位老师好,我想使用VASP对异质界面结构(约350个原子)进行升温AIMD模拟。计划分两步进行:1,退火,从10K升到1500K。2,达到1500K时,NVT平衡20ps。因为之前只做过NVT恒温模拟,没有做过非恒温模拟,请问老师这样设置合理吗?另外,升温速率有固定的取值范围吗?相关论文中使用33K/ps的升温速率,但这样会导致退火阶段时间较长(约45ps),能否把升温速率设为100或200k/ps左右呢?
#MD
IBRION = 0
SMASS = -1 # 退火
NSW = 10000
POTIM = 1.5 # STEPS
#MDALGO = 2 # NOSE-HOOVER
TEBEG = 10
TEEND = 1500
NBLOCK = 1
#KBLOCK = 50

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2#
发表于 Post on 2024-12-11 23:56:28 | 只看该作者 Only view this author
可以,这不是什么问题

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