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[VASP] 怎么利用VASP计算解释晶粒的异常长大行为

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最近做了一点测试表征,有关Bi2Te3的,采用的是SPS工艺,一开始只是往Bi2Te3里面掺了Cu,发现晶粒有点长大但是长大的不明显,后面又掺杂了一种材料,材料中包含Al元素,然后发现双掺杂后晶粒异常长大,EDS表明Al从掺杂材料中扩散了出来,怀疑Cu的加入促进了Al的扩散导致了晶粒的异常长大,Cu和Al或许有某种相互作用,这个现象能够通过VASP计算某些东西得到解释吗?恳求各位大佬指点迷津。
下面两张EBSD图一个是只掺杂Cu的,一个是双掺杂的,晶粒长大的现象非常明显。

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