关于进行In2Se3半导体材料lammps模拟时参数设置的问题

Zfxdo

各位同学和老师们好，我想对In2Se3半导体材料进行升温模拟，我起初是对bulk结构进行的升温研究形变，使用的是npt系综，设置的时间步长为5fs，相关升温设置如下：
fix 1 all npt temp 300.0 300.0 0.5 aniso 0.0 0.0 2.0
run 100000
unfix 1


fix 1 all npt temp 350.0 350.0 0.5 aniso 0.0 0.0 2.0
run 100000
unfix 1
依次类推...
# 保存最终结果
write_data final_In2Se3.data
问题1：5fs是否合适？
问题2：这样的升温设置是否合适，就是每个阶段设置一个温度，是否有更合适的办法？
之后，我在z方向加了真空层，想看它在z方向有真空的情况下，情况如何，针对于现在的情况，问题如下
问题1：起初bulk时我是用的边界条件是ppp，现在还可以使用ppp吗？我自己的理解是可以，虽然z方向也是p但是材料和下一个周期性结构之间是有真空的
问题2：这个时候还能用npt系综吗？如果可以，我该如何设置“temp 350.0 350.0 0.5 aniso 0.0 0.0 2.0”这些参数才能保持真空层不消失？如果不可以，我该使用那个系综？又该如何设置？
谢谢各位！

Aletyx

1. 5fs明显太大。之前的文献用的1fs，参考doi：10.1103/PhysRevB.104.174107；10.1088/2053-1583/aaf946
2. 合适

如果设置真空层：
1. 可以ppp。我自己跑就是ppp
2. 可以，但是要固定z方向的晶格（即固定真空层方向晶格），例如：
fix             1 all npt temp 300 300 0.5 x 0 0 2 y 0 0 2 # 这里没写z，就表明不弛豫z方向
参考：https://github.com/sliutheorygro ... ammps#L31C1-L31C110

Zfxdo

感谢！