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[VASP] PBE0泛函计算ZrO2低估了带隙

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Level 2 能力者

各位老师大家好,本人最近在尝试用VASP计算ZrO2(001)的能带,模型有一个O缺陷,Z方向设置了20A的真空层,使用了VASPKIT生成了Kpath与KPOINTS文件,PBE0计算出来的带隙为1.7eV,与ZrO2约5eV的实验带隙尚有差距,请问产生如此大差距的原因,求各位老师不吝赐教

BAND_GAP

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INCAR

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KPATH.in

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KPOINTS

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Level 5 (御坂)

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发表于 Post on 4 hour ago | 只看该作者 Only view this author
既然目的是接近实验结果,为什么还要建模的时候在这么小的重复周期中留两个O缺陷?实验上不会有这么高浓度的缺陷的。
另外,为什么使用slab模型而不是体相的模型?

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Level 4 (黑子)

3#
发表于 Post on 3 hour ago | 只看该作者 Only view this author
另外补充楼上,为了实验上跟带隙对的好。目的明确,你应该找个合适的泛函?为啥用PBE0,一般不都是HSE06会更好一些么?

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