求助：cp2k2024.1优化Ni表面结构时，几何优化不收敛

ldwf

参数设置方面：pbesol；d3（bj）；550 cut off； 磁矩0.5； 开启smearing；固定底3层原子；
目前状态scf收敛很快；但是8-9步离子步后128g内存就满了，继算后运行了30步，能量可以达到收敛标准，其余不能达到收敛标准；
请问对于输入文件的参数设置的是否正确？ 还有续算的必要么？如果参数或模型有问题，在36核，128g条件下，考虑效率的话该怎么调整呢？

sobereva

当前计算没有意义，晶胞不大，而k点都没有考虑
随着优化进行内存占用量不断提高，是内存泄漏所致。说明编译安装过程存在问题。正常情况不会如此

ldwf

sobereva 发表于 2025-8-28 04:00
当前计算没有意义，晶胞不大，而k点都没有考虑
随着优化进行内存占用量不断提高，是内存泄漏所致。说明编 ...

感谢社长，我将两个镍重新优化后切面四层，同时将pbesol更换为pbe，运算正常结束了。20个离子步而且没出现内存满的情况。
关于k点问题有个请教，是根据晶胞x与y的长度乘以k点数达到某一数值来设置k点么？

sobereva

ldwf 发表于 2025-8-28 08:50
感谢社长，我将两个镍重新优化后切面四层，同时将pbesol更换为pbe，运算正常结束了。20个离子步而且没出 ...

你若懒得做k点收敛性测试就这么粗略判断

Uus/pMeC6H4-/キ

在一楼的Ni.inp里，为啥上面三层的六方密堆积面垂直于z轴，但下面三层的Ni的六方密堆积面垂直于x轴，这是什么异质结吗？

在按上述提醒加了k点后能成功SCF收敛、几何优化收敛的话，我觉得可以把所有输入输出文件打包上传作为帖子附件分享，毕竟正如这帖的讨论那样，其他很多拿CP2K算磁性表面体系的用户都想看到一个能工作的例子。

ldwf

Uus/pMeC6H4-/キ 发表于 2025-8-28 13:25
在一楼的Ni.inp里，为啥上面三层的六方密堆积面垂直于z轴，但下面三层的Ni的六方密堆积面垂直于x轴，这是什 ...

上三层是立方的，下三层是六方的。上述结构的上三层和下三层是由qe优化得到的。
在用cp2k优化异质结构时，最初scf不收敛，改动温度设置，scf收敛顺利。
后续用cp2k将两个Ni晶胞重新优化并分别切四层面后优化，重新组成异质结，但是更改pbesol为pbe，算力有限同时不考虑精度所以仍然没有设置k点，运算正常结束。
但是我觉得不是更改pbe的原因，因为我试过pbe同样是上述结构时问题没有解决，同样是scf收敛，力不收敛。改为四层时问题解决。

zzp

Uus/pMeC6H4-/キ 发表于 2025-8-28 13:25
在一楼的Ni.inp里，为啥上面三层的六方密堆积面垂直于z轴，但下面三层的Ni的六方密堆积面垂直于x轴，这是什 ...

请问下为什么没看到输入文件，能看到这个体系磁性表面的计算案例

Uus/pMeC6H4-/キ

zzp 发表于 2025-8-31 01:42
请问下为什么没看到输入文件，能看到这个体系磁性表面的计算案例

应该是楼主昨天自己编辑帖子删掉了，但是就算还留着也不存在参考价值，没看到楼上的说法吗？通过不合理设置（明显一点的如开IGNORE_CONVERGENCE_FAILURE忽略收敛失败、调大EPS_SCF收敛限，稍微隐藏一点的如该用k点却没用、该用对角化却用OT算法、该设置原子初猜磁矩却没设等等）获得的收敛不值得学习借鉴。

ldwf

zzp 发表于 2025-8-31 01:42
请问下为什么没看到输入文件，能看到这个体系磁性表面的计算案例

重新上传了修改后的文件，但是没有k点，运行正常，如果你有条件可以加k点试试。

ldwf

Uus/pMeC6H4-/キ 发表于 2025-8-31 08:42
应该是楼主昨天自己编辑帖子删掉了，但是就算还留着也不存在参考价值，没看到楼上的说法吗？通过不合理设 ...

因为我是搞实验的，对于理论方面的原理不太懂，就是会一点基本操作，但是看过这些例子，也大体知道哪些关键词以及参数是必须的。偶然改动温度scf收敛。实验室工作环境只有双路2696v3，加了k点太慢。也希望有条件的社友看一下加k点能否收敛。

zzp

ldwf 发表于 2025-8-31 15:50
因为我是搞实验的，对于理论方面的原理不太懂，就是会一点基本操作，但是看过这些例子，也大体知道哪些关 ...

感觉这个输入文件估计电子步需要很多步数才能收敛，温度6000K是不是太高了

ldwf

zzp 发表于 2025-8-31 16:02
感觉这个输入文件估计电子步需要很多步数才能收敛，温度6000K是不是太高了

我也不知道是否合理。可以问问专业的社友。