求教基于背景电荷下计算的键解离能的问题

Gingerhead-Xiao

请教下各位老师，研究基于溶剂A作为背景电荷，溶剂B的发生C-H键与C-F键断裂发生消去的反应过程中，C-H/C-F键的解离能计算问题。操作步骤如下：1. 分别对溶剂A与溶剂B整体，溶剂B分别脱去H自由基与F自由基，以及对应的另一部分片段做几何优化（b3lyp/6-311+g(d,p)）2. 计算溶剂A的CHELPG电荷（b3lyp/def2tzvpp pop=CHELPG nosymm）3. 计算背景电荷下，溶剂B以及对应所有片段的单点能（b3lyp/def2tzvpp）4. 选取步骤1与3的结果，用Shermo统计焓变，自由能变化。

Notes: 1. 上述过程除了计算CHELPG电荷外，其他步骤都有加D3校正与隐式溶剂模型。2. FEC_H是FEC脱去H自由基后剩余片段，H_RA是脱去的H自由基，F_RA，FEC_F同理。

统计结果发现，加入背景电荷的单点能结果相较于无背景电荷的结果低~2Ha的能量，Shermo计算每一片段的焓结果差值也接近~2Ha的能量，键解离能差值也相差很多。请教各位老师，是我的研究的问题体系不正确，还是计算的方法出现了问题，导致结果结果的较大偏差，谢谢各位老师答疑解惑。