计算GaAs表面吸附能时表面态的选取问题

qiqi7 · 发表于 Post on 2026-4-2 17:50:59

各位老师好，本人是一位第一性原理计算的初学者，最近在做一些GaAs(001)表面的相关计算尝试，想比较一些原子在该表面的吸附能。一开始，我想这遵循一般的计算流程，优化bulk->切slab->构建吸附体系，计算吸附能，然后如果用非平面波该讨论BSSE就讨论。然后，在看文献时，发现多篇文献计算该面通常采用的面为富As（3/4覆盖度），GaAs(001)-β2(2×4) surface的重构态，如下图1，理由一般是和molecular beam epitaxy (MBE)相关实验结果联系在一起。

对此，我对计算吸附能的时候表面选取，有什么原则吗？当无法得知实验中具体的表面状态的时候（无类似实验参考，也没有测试条件），能不能就简单的按照优化bulk->切slab->构建吸附体系的一般流程计算吸附能，仅仅进行趋势的比较？
此外，一篇文章出现如下说明：The back surface was passivated by pseudohydrogen atoms (fictitious hydrogen atoms containing Z=51.25e) arranged in a dihydride structure. 请问CP2K中如何进行赝氢钝化中赝氢的电荷设置？

qiqi7 · 发表于 Post on 2026-4-3 09:05:50

本帖最后由 qiqi7 于 2026-4-3 13:46 编辑

此外，关于赝氢钝化，如何在CP2K中实现？

sobereva · 发表于 Post on 2026-4-3 11:18:51

qiqi7 发表于 2026-4-3 09:05
此外，关于赝氢钝化，如何在CP2K中实现？

有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，导致信息零零碎碎，这点在置顶的新社员必读贴里明确说了。

1L中的图片没显示出来，仔细看置顶的社员必读贴了解怎么发图

qiqi7 · 发表于 Post on 2026-4-3 13:48:00

sobereva 发表于 2026-4-3 11:18
有别人回复之前若需要对帖子进行修改、补充，应直接编辑原帖，不要通过回帖进行补充，导致信息零零碎碎， ...

好的，已按照您说的整改

sobereva · 发表于 Post on 2026-4-4 11:50:51

得合理选择被研究的晶面，被审稿人问及的时候答得上来，诸如用最稳定/表面能最低的晶面、已知容易发生某种反应的晶面，等等。如果任何现成的信息都没有，对几种典型的晶面都研究，或者自己算算不同晶面的表面能选取最低的，或者讨论一下不同表面的吸附能的差异，都可以

qiqi7 · 发表于 Post on 5 day ago

sobereva 发表于 2026-4-4 11:50
得合理选择被研究的晶面，被审稿人问及的时候答得上来，诸如用最稳定/表面能最低的晶面、已知容易发生某种 ...

好的，我现在想用CP2K重复文献的结果（文献用的Vasp）。我看文献构建重构的表面时，普遍背面采用了赝氢钝化，我想请问大大CP2K里面可以实现类似Vasp里面给的各种赝氢吗？

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