关于计算氧空位电荷的设置

華華 · 发表于 Post on 2018-1-13 15:24:11

请教各位大神，计算表面反应时，把表面的一个氧直接去掉，不做任何处理，那么结构优化时设置的电荷参数应该设为多少呢？看了很多帖子有说是0的，还有+1和+2的？刚接触这方面有点迷茫，望各位大神指教。非常感谢！！！

zorow · 发表于 Post on 2018-1-14 17:26:51

类似有氧空位的文献中有提到过吗，我感觉似乎仅仅是删个O原子而已，没改过电荷参数(去年暑期参加某MS培训班时，老师只说删个原子，没提到电荷参数的问题)

華華 · 发表于 Post on 2018-1-15 10:13:12

本帖最后由華華于 2018-1-15 10:50 编辑

zorow 发表于 2018-1-14 17:26
类似有氧空位的文献中有提到过吗，我感觉似乎仅仅是删个O原子而已，没改过电荷参数(去年暑期参加某MS培训班 ...

我在文献里并没有看到关于电荷的设置，所以有点迷惑？那前辈在计算时，只是删了个氧原子，不需要做任何处理，电荷的参数默认，然后优化就好了吗？那么自选多重度需要设置吗？
以前没有做过氧空位的东西，望大神不吝赐教

zorow · 发表于 Post on 2018-1-15 11:27:44

華華发表于 2018-1-15 10:13
我在文献里并没有看到关于电荷的设置，所以有点迷惑？那前辈在计算时，只是删了个氧原子，不需要做任何处 ...

不好意思，我也只是初学者，也没做过这种缺陷表面。。。在使用MS计算时，我都是选的Auto。。。在我参加培训班的时候，老师提过缺陷表面的例子，似乎是去掉原子后就直接进行优化了

风飞 · 发表于 Post on 2020-8-29 00:55:34

你好，请问你这个问题解决了吗？是怎样构建氧空位的呢

Penson · 发表于 Post on 2020-8-30 23:53:54

电荷应该不需要增加或减少，但是可能需要打开磁性计算，产生空位的结构一般都会有额外的磁矩产生

风飞 · 发表于 Post on 2020-8-31 12:31:09

本帖最后由风飞于 2020-8-31 12:32 编辑

Penson 发表于 2020-8-30 23:53
电荷应该不需要增加或减少，但是可能需要打开磁性计算，产生空位的结构一般都会有额外的磁矩产生

请问你是怎样构建氧空位模型的呢？
法一，切出111面进行优化，然后在111的表面去掉一个氧原子
法二，构建唉2*2*2的超晶胞，然后在超晶胞中去掉之个氧原子，然后对该含有氧空位的超晶胞进行优化，然后在超晶胞上切111面

Penson · 发表于 Post on 2020-8-31 13:19:35

风飞发表于 2020-8-31 12:31
请问你是怎样构建氧空位模型的呢？
法一，切出111面进行优化，然后在111的表面去掉一个氧原子
法二，构 ...

这个看实际情况吧，如果是研究表面，最好先切出表面再制造氧空位吧

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