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[VASP] 计算能带时如何设置沿晶格矢量方向的KPATH

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楼主
体系为三斜体系,我想基于能带图计算沿晶格三个矢量方向空穴以及电子的有效质量,已知价带顶坐标为Y(0 0.5 0),导带底坐标为U(0 0.5 0.5),晶格矢量为

请问可以实现吗?在计算能带的时候KPATH应该怎么设置呢?期待回复!!

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发表于 Post on 2018-3-15 21:26:16 | 只看该作者 Only view this author
具有全部的结构参数,并且设置三个方向的KPATH就可以了,000-001,001-011,011-111就可以了

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PIG

3#
发表于 Post on 2018-3-16 00:26:48 | 只看该作者 Only view this author
自己看这篇文献,所有高对称点选法都有

High-throughput electronic band structure calculations Challenges and tools.pdf

4.86 MB, 下载次数 Times of downloads: 54

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4#
 楼主 Author| 发表于 Post on 2018-3-17 10:13:22 | 只看该作者 Only view this author
fly1992 发表于 2018-3-15 21:26
具有全部的结构参数,并且设置三个方向的KPATH就可以了,000-001,001-011,011-111就可以了

但这样设置的话KPATH的这三个方向不是沿着晶格矢量的吧

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发表于 Post on 2018-3-17 20:02:46 | 只看该作者 Only view this author
这个是的,第一个表示c方向,第二个表示b方向,第三个表示a方向

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发表于 Post on 2018-3-17 20:03:15 | 只看该作者 Only view this author
珊珊来迟 发表于 2018-3-17 10:13
但这样设置的话KPATH的这三个方向不是沿着晶格矢量的吧

这个是的,第一个表示c方向,第二个表示b方向,第三个表示a方向

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