关于请教若干计算的能带结果问题

luoshan393

用dmo3l计算出纯Si的能带为零点几，PBE和HSE的结果都这样。而Si表面吸附分子的体系能带结果为零点零几，感觉过于偏小，这样的结果是否可用合理？  不合理怎么修正？   另外想问一个比较宽泛的问题：我们得到的计算结果（能量、能垒、能带、电荷分析等等）与实际值在多大的误差内有效（能用于发文章）。十分感谢！

卡开发发

HSE算Si的bulk结果不会那么差吧，你的计算可能出了什么问题，这方面的测试应当已经很多。表面倒是有可能导致带隙收窄，一般很大可能是因为表面态导致的。

luoshan393

卡开发发 发表于 2018-3-15 11:55
HSE算Si的bulk结果不会那么差吧，你的计算可能出了什么问题，这方面的测试应当已经很多。表面倒是有可能导 ...

谢谢，吸附体系带隙太小呢，结果能用吗。。。

卡开发发

luoshan393 发表于 2018-3-15 13:20
谢谢，吸附体系带隙太小呢，结果能用吗。。。

如果参数设置合理带隙仍然比较窄，尤其是能够指认表面态的情况，我觉得完全没问题。就怕使用的参数不合理算的不对，那就很难说了。