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[VASP] 求助:单层MoTe2能带计算,带隙出现问题

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看文献知道,过渡金属硫化物(TMDs)的多层结构的带隙一般是间接带隙,但是当剥离成单层结构时,带隙会转化为直接带隙,然而我建模MoTe2算出来的能带如图,还是为间接带隙?请问这该怎么办啊?

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1.结构建模

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2.能带结构

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发表于 Post on 2020-9-28 20:37:27 | 只看该作者 Only view this author
考虑换一种泛函PBE换成HSE试试

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2020-9-28 20:56:27 | 只看该作者 Only view this author
liutianyang0531 发表于 2020-9-28 20:37
考虑换一种泛函PBE换成HSE试试

但是我看文献里面,人家也是用PBE计算出来是直接带隙?所以我也不知道哪里有问题

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