关于体系电子激发前后密度差的问题

suosuosky

请问各位老师，如果要绘制电子激发前后的密度差图，有几个问题想要咨询：

1-如果S0态使用的是 B3LYP/6-31G* 优化（含有pi-pi共轭体系，有几个苯环的体系），现在不确定是哪种激发类型（电荷转移激发、局域激发），是不是需要使用td PBE0, td CAM-b3lyp都计算一下看看结果?

2-如果我是想看看体系发生UV吸收主要是哪个基团造成的，想确定电子激发主要的跃迁位置，是不是可以通过绘制电子密度差图来实现？

如果可以的话，那S0和激发态是不是需要使用相同的方法才合理？

比如基态在B3LYP/6-31G* 优化后的构型基础上使用：#p B3LYP/6-311g(d)  out=wfn density

S2态在B3LYP/6-31G* 优化后的构型基础上使用：     #p PBE1PBE/6-311g(d) TD(nstates=5,root=2) out=wfn density

这样绘制电子密度差图，是不是不对？还是不是需要统一一样的？

谢谢老师！

wzkchem5

1. 靠换泛函来检查激发类型是不可靠的，应该用http://sobereva.com/437的方法分析
2. 可以。必须用相同的方法。不仅激发态密度差图，任意类型的密度差图都要求作差的两个密度在严格相同的级别下计算得到。