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[VASP] CeO2(111)表面氧空位带来的自旋极化问题

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请教一下大家,在计算CeO2(111)表面一个氧空位的时候使用了4*4的超胞(15A*15A)进行表面弛豫,结果用gamma点单k点计算,优化收敛后磁矩为2,同样用gamma点静态自洽后发现氧空位相邻的2个Ce都有单电子且磁矩为1均为正,也就是有铁磁性。但是用3*3*1的k点进行表面弛豫最后优化收敛后磁矩为0,用3*3*1的k点进行静态自洽后发现氧空位相邻的2个Ce都有单电子但是磁矩一个是1,一个是-1,也就是有反铁磁性。计算得出的反铁磁性能量低0.08ev,貌似更稳定。但是查阅的大部分文献都是CeO2氧空位最后应该呈现铁磁性。这个该怎么办呢,k点密度难道对磁矩影响这么大么?
符我的INCAR
SYSTEM =  ceo2

INCAR-basic
   PREC   = A
   ENCUT  = 400 eV
   NELMIN= 5
   NELM=300
   LREAL = A

   ALGO = N
   EDIFF  = 1E-4
   ISMEAR = 0
   SIGMA = 0.05

   LDAU=.TRUE.  ## For LDA + U set
   LDAUTYPE=2
   LDAUL=3 -1
   LDAUU=5  0
   LDAUJ=0  0
   LMAXMIX=6


   ISPIN = 2   
   MAGMOM = 32*1 63*0
   KPAR = 3
   NCORE = 32   

   AMIX     = 0.2
   BMIX     = 0.0001 ! almost zero, but 0 will crash some versions
   AMIX_MAG = 0.8
   BMIX_MAG = 0.0001 ! almost zero, but 0 will crash some versions

Ionic Relaxation
   ISTART = 0
   ICHARG = 2
   EDIFFG = -0.03        force
   NSW    = 300          max steps for IOM




   IBRION = 2
   POTIM = 0.2
   ISIF   = 2            suface:2 crystal:3
   PSTRESS= 0
   LCHARG = F
   LWAVE  = F


本版积分规则 Credits rule

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