求助：MS-三维界面异质结构建

江淮sh

各位大佬好：
想构建一个三维的界面异质结，目前发现：由于表面优化时添加了真空层，在针对优化完成的表面使用build layers进行异质结建模时发现真空层未曾消除如下图所示：

最终的界面异质结目标是如下;


在搜寻一些答案后发现：需要先使用caystals-make P1晶格(A、B参照最大表面的，且略大于其值)，再将两表面置于其中，并调整其中的界面间距。具体来源：[CASTEP/Dmol3/MS] 异质结建模步骤 中的回复（若侵权或违规，删）

针对其目前有一下疑问点：
1. 若是新建立的晶格略大于最大表面模型的AB，将模型置于晶格中时是否要位于新晶格的中心(AB面)
2. 是否需要让置于底层的表面的原子其中心点与新晶格的AOB面重叠，如何实现呢。是全选表面原子采用Movement慢慢移动吗？
3. 建立的界面异质结是否需要再另外设置真空层呢？(个人感觉即是界面抑制节中的计算，且远离界面处的原子层间间距基本未发生变化，即可视作内部，是否意味着不需要真空层的设置，徒增计算量，但所发现的文献中基本均设置了真空层)即在最上层原子外侧设置真空层,如果需要设置真空曾其厚度多少合适呢，是与表面弛豫计算中的真空层厚度一致吗？
4. 在完成1~3之后，是否便可根据不同原子重叠位置进行单点能计算合适界面间距了呢？
期待各位大佬指教~