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[VASP] 求助参数ISMEAR的使用

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在vasp手册上关于ISMEAR参数的介绍有这么一句话:For the calculation of the total energy in bulk materials we recommend the tetrahedron method with Blochl corrections (ISMEAR=-5).


但是我在+U进行结构优化以及单点计算中都测试了一下ISMEAR = 0 or -5 时计算得到的结果,结构优化后得到的晶格矢量和能量都没有差别,单点计算得到的能量也是一样的。
(保证ENCUT、EDIFF、EDIFFG都一样的前提下)


希望大佬们赐教一下


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发表于 Post on 2024-4-10 22:35:51 | 只看该作者 Only view this author
https://www.vasp.at/wiki/index.php/ISMEAR
没太看懂,你是在问什么?是为啥ISMEAR = 0 or -5时结果一样么?如果是这个问题,我建议你看一下这个链接,你先明白这个关键词定义的是什么。一般在不清楚体系是半导体还是金属时多数考虑ISMEAR = 0 采用高斯smear.

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 楼主 Author| 发表于 Post on 2024-4-11 21:43:17 | 只看该作者 Only view this author
logzzz 发表于 2024-4-10 22:35
https://www.vasp.at/wiki/index.php/ISMEAR
没太看懂,你是在问什么?是为啥ISMEAR = 0 or -5时结果一样 ...

抱歉,忘记说明了,我计算的体系是半导体,因为想算一下表面能,看手册提到了计算BULK能量时需用 ISMEAR = 5 ,所以突发奇想用ISMEAR = 0 也算了一下,发现能量没有区别。

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