|
|
各位大佬好~
我是异质结计算的初学者~本人想针对金属(无磁性)及陶瓷相(金属性)进行异质结构建,目前遇到以下疑惑:
1、对于异质结建模的方式:a、通过movement将两已进行结构优化的表面组合为界面异质结→进行单点能测试合适界面位置→异质结几何结构优化;b、通过MS自带模块build layers将两未优化表面直接组合为异质结→进行单点能测试合适界面位置→异质结几何结构优化;但a中无法实现对较小表面(A、B方向)进行扩展,即build layers-[size=14.6667px]Choose new lattice parameters(更硬的层作为标准),不知是否会有影响、a和b方法分别构建出的异质结在用单点能进行界面结合角度和间距测试的时候是否会有异同、b法构建的异质结在最终进行几何优化时是否会花费更多时间。
2、构建的金属-陶瓷异质结界面是否需要进行化学键构建(陶瓷中的金属原子与金属相为金属键、陶瓷中的非金属原子与金属相认为不成键),来使得结构合理,再进行优化。
3、采用单点能测试合适界面间距时,能否将测试间距大小设置为0.3埃,在其能量高点出再采用0.1埃计算。以减小计算次数,节约机时。
4、在针对几何结构优化完成的异质结计算电子结构、性质时,能否增加K点值(如;6*6*1到10*10*1)、SCF tolerance是否有意义(如增加能量性质计算的准确性)。
图从左到右分别为方法a与b:
望各位大佬不吝赐教~
|
|