VASP跑AIMD模拟熔盐结构时，计算方案、系综、模型尺寸等设置是否正确

Tanmin

请教各位老师：

本人近期计划采用VASP跑AIMD对高温熔盐结构进行模拟，但尚存在一些疑问，请各位老师帮忙把把关：

-------输入文件INCAR--------
SYSTEM = Ca-O-P
ISTART =  1            (Read existing wavefunction; if there)
ISPIN  =  2            (Spin polarised DFT)
LREAL  = Auto       (Projection operators: automatic)
PREC   =  Normal       (Precision level)
LWAVE  = .TURE.        (Write WAVECAR or not)
LCHARG = .FALSE.        (Write CHGCAR or not)
ADDGRID= .TRUE.        (Increase grid; helps GGA convergence)
ALGO = VeryFast

#Electronic Relaxation
ISMEAR =  0
SIGMA  =  0.05
EDIFF  =  1E-04

#Molecular Dynamics
IBRION =  0            (Activate MD)
NSW    =  200          (Max ionic steps) #因为离子步设置过大后，内存（128g)后期被占满，造成任务失败，故此处改为200离子步。
POTIM  =  1            (Timestep in fs)
SMASS  =  0            (MD Algorithm: -3-microcanonical ensemble; 0-canonical ensemble)
TEBEG = 0
TEEND = 900         #此处温度设置 0K~900K by 200fs, 900K~1900K by 200fs, 1900K for 1000fs，实际计算中会依次修改)
MDALGO =  2          (Nose-Hoover Thermostat)
ISIF = 2
ISYM   =  0          (Switch symmetry off)
Nwrite =  0            (For long MD-runs use Nwrite=0 or Nwrite=1)
NCORE = 4

-----------------结构文件OUTCAR---------------------
Ca16 P8 O36
1.0
       14.1377086639         0.0000000000         0.0000000000
        0.0000000000        12.1017227173         0.0000000000
       -0.1628470607         0.0000000000         9.5543507442
   Ca    P    O
   32   16   72
Direct
     0.125081494         0.579181015         0.011718000
     0.625081480         0.579181015         0.011718000

POSCAR-supercell (6.92 KB, 下载次数 Times of downloads: 12)

2021-12-1 10:15 上传 Uploaded

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结构文件

---------------服务器配置参见社长装机贴--------
CPU：2* XEON E5-2696 v3（18核2.3G，散，无集显）2*1330
散热器：酷冷至尊T400i*2  80*2
主板：超微 X10DRL-I（C612芯片组，集显） 2400
机械硬盘：希捷ST4000NM000A银河企业级4TB SATA 880
固态硬盘：PM981a 1TB + M.2到PCI-E转换卡 950
内存：8*三星DDR4-2400 ECC REG 16GB  8*450
电源：振华LEADEX HG 650W 640
------------------------------------------------------------
1. 关于系综的选择
根据论坛相关贴文，若要贴近真实情况，应选择NPT系综，但VASP内置的控温器中适合NPT的控温器仅Langevin（见下图），但根据VASP官方的液态硅的分子动力学模拟，其却采用的是NVT下的Nose-Hoover.
问题1：若采用NVT模拟上述物质高温熔融态结构是否可行？
问题2：是否需要改使用Langevin 的NpT控温器，以及该方法中关于压力关键词PSTRESS设置应该注意什么问题？

2. 关于模型尺寸
VASP官方在液态硅的分子动力学模拟中认为硅模型尺寸（10.8 *10.8*10.8， 64个原子）足够大，故KPOINTS设置为1*1*1，并采用vasp_gam计算。
问题3：VASP下运行AIMD，如何判断模型尺寸足以采用1*1*1的K点设置？是否可依据下图中晶胞尺寸与K点密度的设置原则？
问题4：官方教程中貌似均未设置升温段，直接设定目标温度，是否存在不妥？


3.关于时间步长
问题5：关于模拟时间步长，是否一定需要达到3~5ps? 我个人认为温度稳定、能量稳定后（见下图）即达到了平衡状态，通过对平衡状态的结构分析即对应高温下熔融态结构，不知妥否，请各位老师指导。

Lilunjisuan

想请教一下，体系原子数大概多少才可以认为是 a sufficiently large supercell？
"VASP官方在液态硅的分子动力学模拟中认为硅模型尺寸（10.8 *10.8*10.8， 64个原子）足够大，故KPOINTS设置为1*1*1，并采用vasp_gam“
我也看到官网用的64个。目前我的体系是76个，感觉上差不多可以拿来计算。因为这算起来就挺慢的。

lue611

分子动力学一般用gamma点，100个以上的原子

Bryce

请问您解决了吗，我最近也在算类似熔融体系，可否指教一二？

haitaier

关于AIMD npt系综的问题您解决了吗？