|
|
本帖最后由 gehan 于 2023-9-20 18:47 编辑
各位老师好，我最近在做LiBH4体系的课题时出现了一些问题。问题1：关于CP2K中计算结构优化，使用方法不同对应出现的现象有较大差异的疑问。我对于LiBH4(001)表面(chushi.cif如图1)进行结构优化使用Multiwfn分别生成了使用对角化算法(k点为1 1 1 )和OT算法的输入文件分别为diag.inp,ot.inp。结果发现，不同的算法得到的结构出现了较大的不同，对角化算法出现了两对氢气分子脱出的现象（如图2），而ot算法却没有这种现象出现（图三），这是为什么呢。问题2：由于结构优化的最终目的是为了跑MD，于是对上述所讲的两种不用最终收敛结构构建MD输入文件跑MD，对于对角化的优化结果跑MD发现两对脱出的氢气分子会迅速脱离表面。对OT算法得到的结构优化结果进行MD，但是看不到氢气脱出。（所有生成的MD文件里用的都是OT算法）后来也测试过对于同样的初始结构直接进行md（不进行结构优化），对应的输入文件为ini.inp，就会发现有一对氢气分子脱出。我知道两种不同的算法，得到的结果一般也不会完全相同，但是一个出现氢气分子而另一个却看不到，这样的差距是因为我的输入文件的问题吗，还是本身结构存在问题。还想请教老师，如果就是存在不同的算法结果差异比较大的情况，那应该选择哪种算法得到的结合认为是合理的呢。还有就是对于本身没有优化的结构去跑MD这样的操作是不是本身就有问题呢，那么这样得到的看到一对氢气分子脱出是不是也是不合理的，还请老师指教。 |
|
发表于 Post on 2023-9-20 18:47:46
|
只看该作者 Only view this author
|只看大图 View big picture
|倒序浏览 Reverse view
|阅读模式 Reading model
收藏 Add to favorites
楼主 Author