该如何从计算上考虑磷光发射的可能性？

KSeGaSn

各位老师们好，请问我们该如何全面考虑分子发射磷光过程的可能性呢？一方面是从磷光发射速率方面讨论，但考虑到分子的激发不太可能是从S0直接激发到T态，因此大概率会经过Sn到Tn的系间窜跃过程，因此这些过程也应该较快对吗？
比如我现在研究了一个金属配合物分子，其T1极小值点的发射能量已经计算得到（和实验符合较好），那接下来是不是应该全面考虑（1）荧光发射速率（应较小，不容易从S1态直接退激发）；（2）系间窜跃速率（应较大，但只考虑S1→Tn可以吗？）；（3）反向系间窜跃速率（应较小，否则TADF倾向比较大）；（4）磷光发射速率（应较大）等因素。感觉计算量是比较恐怖的。
另外还有该如何恰当考虑某个S1极小值点是不是真的能到达另一个T1极小值点的问题？我现在的做法是（1）以S0极小值点为参考结构，优化得到S1态极小值点结构；（2）以S1态极小值点结构为参考，优化得到T1态极小值点结构。之前计算以S0极小值点结构用UKS优化T1，得到一个能量明显较高的极小值点，和实验测定不符，猜测是有可能这个结构根本不可能从S1出发发生ISC得到，这样考虑是否有道理呢？