求助BiVO4体系F掺杂前后的能带计算问题

18926938897 · 发表于 Post on 2025-3-8 12:12:59

本帖最后由 18926938897 于 2025-3-12 19:17 编辑

本人做的是BiVO4体系，研究方向是光电催化，目前初学阶段，正在着手能带结构方面的计算，问题是计算的纯样和氟掺杂的带隙相差很大，但文献中说是两者带隙几乎不变，如果按照下能带应该还有得说，但是按照总的能带来讲，不符合文献结果，想求助一下各位大神应该怎么调整，一时间没有头绪。。。T.T

1372133091 · 发表于 Post on 2025-3-8 13:28:19

把INCAR文件贴上来，这样更方便大家分析。
从图中看起来是F掺杂后体系有磁性，自旋上下的能带结构不一致，导致了带隙的变化。

sobereva · 发表于 Post on 2025-3-8 23:33:37

帖子标题不得乱用叹号，置顶的新社员必读贴以及http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html都明确说了。这次给你改了，下次乱用叹号直接删帖扣分处理。

如置顶的新社员必读贴、论坛首页的公告栏、版头的红色大字非常明确所示，求助帖必须在帖子标题清楚、准确反映出帖子具体内容，避免有任何歧义和含糊性，仔细看http://bbs.keinsci.com/thread-9348-1-1.html。我已把你的不恰当标题 “求助！！能带计算” 改了，以后务必注意

18926938897 · 发表于 Post on 2025-3-12 19:18:34

1372133091 发表于 2025-3-8 13:28
把INCAR文件贴上来，这样更方便大家分析。
从图中看起来是F掺杂后体系有磁性，自旋上下的能带结构不一致， ...

感谢提醒，本人初次使用，已经上传附件INCAR，请您分析一下

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[VASP] 求助BiVO4体系F掺杂前后的能带计算问题

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