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[VASP] 施加应变导致H吸附强度趋势不符合理论

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本帖最后由 CHLllooll 于 2025-2-11 11:37 编辑

各位前辈好,我最近在重复一篇纯计算文章关于纯金属吸附H原子的时候出现了一些不符合理论的问题。具体问题如下:
我在计算纯金属Ni的top位吸附H原子的时候发现吸附能不符合规律,随着拉应变的增加对H原子的吸附反而减弱了 ,这和理论上的完全相反。
这是我使用的INCAR文件中的参数:
SYSTEM =LTL
# 0.Efficiency
NPAR   = 4
LREAL  = Auto
ALGO   = Fast

# 1.Accuracy
ENCUT  = 450
PREC   = Normal
EDIFF  = 1.E-5
EDIFFG = -0.02
NELM   = 100    # maximum of 300 electronic steps

# 2.Setup
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.02

IBRION = 2
NSW   = 500     #500 ionic steps in ions
ISIF  = 2
POTIM = 0.2
ISYM = 0


# 3.Physics!
GGA    = PE
ISPIN  = 2      #2 yes,1 no

施加的是双轴应变,只改变xy方向上的长度,同时使用的ISIF=2进行优化,是否是因为z方向上晶格矢量会发生变化导致计算不准确,需要用ISIF=3先对施加完应变的POSCAR进行优化吗?

感谢各位前辈指导


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