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[综合讨论] 怎么计算材料对功函的影响

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本帖最后由 万卷书万里路 于 2017-3-3 16:12 编辑

两个结构相似的材料,区别是相差一个  —CH2 ,   

把这两种材料蒸镀到银表面一层,之后发现,
B 使得功函升高,A 使得功函降低。
计算过了,他们的HOMO LUMO接近, 现在有这俩材料的单晶结构。
1.  为什么会有这样的现象,从材料结构上分析计算能解释吗?
结构, 电荷分布,电子云,还是偶极矩,请问各位老师,我应该怎么分析
2. 请问怎么模拟计算材料对功函数的影响,

谢谢啦!

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发表于 Post on 2017-3-3 17:02:00 | 只看该作者 Only view this author
本帖最后由 ggdh 于 2017-3-3 17:04 编辑

用vasp计算材料吸附在Ag表面的结构。
然后计算功函,功函=真空能级-费米能级,计算电子转移,surface dipole。根据结构分析原因

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卡开发发 + 2 就怕是界面结构
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 楼主 Author| 发表于 Post on 2017-3-4 09:18:03 | 只看该作者 Only view this author
ggdh 发表于 2017-3-3 17:02
用vasp计算材料吸附在Ag表面的结构。
然后计算功函,功函=真空能级-费米能级,计算电子转移,surface dipo ...

好,谢谢!

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