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本帖最后由 Ying_Zhang 于 2026-3-13 02:43 编辑
想请各位老师给点建议,因为接触CP2K有一段时间,所以为了后续跑大模型选择CP2K,之前一直跑VASP。所以,最近拿同一个模型在CP2K和VASP计算,检验一下我CP2K掌握的能力,即计算Mg和Bi金属化合物的空位过渡态计算(CI-NEB)。发现两个问题:
1)VASP可以根据给定的初末结构,通过VTST脚本,确定插入的过渡态的数量,但是CP2K如何找合适的NEB数量?因为我跑CP2K的CI-NEB,发现不同的数量,很大程度影响计算,插入较少和过多,计算会卡在某一步,一直循环,但是一直尝试又较浪费时间。有什么经验和方法,减少时间确定较为适合的NEB数量。
2)VASP和CP2K结果出现较大差别,VASP结果过渡态为0.773607 eV,CP2K为1.382307142 eV,采用相同的surpercell的结构且K-point相同,CP2K采用DZVP-MOLOPT-SR-GTH级别计算。VASP结果更接近文献,当然文献也是VASP结果。所以,这差别是什么造成的?还是我CP2K计算过渡态仍存在问题?
3)附上我计算的NEB.inp和NEB.out结果以及VASP的相关结果,麻烦各位老师看看,有什么问题,哪里可以修改。
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NEB.inp
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NEB.out
343.76 KB, 下载次数 Times of downloads: 1
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VASP.zip
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