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[VASP] 差分电荷密度计算的电荷转移界面不对是什么原因

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我现在在做分子吸附到结构上的差分电荷密度,正常的电荷转移应该出现在分子和界面接触的地方,可是不知道为什么我做的电荷转移会在结构内部。而且奇怪的是我有一个分子的差分电荷密度是成功了的,其他的分子都按一样的步骤却出现了这样的问题。这是什么原因呢?我已经不停地在重新自洽以生成新的电荷密度了,可是把CHGDIFF.vasp拖入vesta之后还是原来的样子……

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正常情况是这样的

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这是异常情况

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发表于 Post on 2026-4-3 15:19:33 | 只看该作者 Only view this author
感觉像是拆分吸附结构时候结构没拆好的问题,真空层是否不太够啊?

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Ab Initio Rookie

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发表于 Post on 2026-4-4 08:42:19 | 只看该作者 Only view this author
感觉可能其中的A或者B有一个体系自洽没有收敛
Package: VASP
Research: photo-electron

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