NBO能分析与发射谱相关的表面电子能量变化吗？

lao7 · 发表于 Post on 2015-8-5 19:01:37

本帖最后由 lao7 于 2015-8-5 19:02 编辑

想用multiwfn分析荧光生色团结合离子前后表面电子能量变化，不知道NBO功能是否可行？另外，是分析激发态时的电子NBO，还是发射态时的NBO呢？如果分析激发态NBO，理论上能够产生强荧光时（或者荧光波长红移/蓝移时），NBO分析的表面电子会有什么特点？谢谢各位。

sobereva · 发表于 Post on 2015-8-5 22:54:06

NBO和这没什么关系。
我不清楚你说的表面电子能量是指什么

lao7 · 发表于 Post on 2015-8-6 10:37:35

sobereva 发表于 2015-8-5 22:54
NBO和这没什么关系。
我不清楚你说的表面电子能量是指什么

谢谢回复！因为没有使用过这些功能，所以描述不清楚。我把想法描述一下吧！
最初想用TD预测溶剂下分子的荧光发射。发觉太慢了，而且真正计算出来可能和实验值存在差距。所以想用NBO分析的方法，分析离子与荧光生色团配位后，配位体表面电子的变化情况，以定性解释实验中存在的荧光增强现象（能量转移引起的荧光增强），和荧光红移现象（可能内滤效应）。不知道如何下手。已经看过你的一篇NBO的帖子，但学会操作过程，不知道如何解释我所遇到的现象。

sobereva · 发表于 Post on 2015-8-6 19:35:43

可以考察表面的静电势、平均局部离子化能等指标。
NBO和这个问题我不清楚你打算怎么联系起来

lao7 · 发表于 Post on 2015-8-6 19:55:57

sobereva 发表于 2015-8-6 19:35
可以考察表面的静电势、平均局部离子化能等指标。
NBO和这个问题我不清楚你打算怎么联系起来

谢谢！理论上，如果生成络合物之后荧光能够增强的话，在激发态情况下，离子应该吸收短波辐射，并把能量传递给生色团（可以苯环结构），如果能用图片的形式描述这种传递的过程就好了。
这个图片的形式应该是这样的：在激发态优化好的情况下，配位体离子表面的电子能量应该最高（也可能是离子振动），能量跃迁回到基态的过程中，应该把能量通过配位键传递给生色团结构，引起生色团结构电子的跃迁。不知道如何用软件描述。
好像静电势和平均局部离子化能用来预测反应位点更合适，不知道我的理解有误出错？谢谢！

sobereva · 发表于 Post on 2015-8-7 01:24:59

这个过程还是有一定抽象性，具体从物理量上描述有一定困难。至少NBO我认为讨论不出什么有用的。
能量传递的图形化描述还真少见。

lao7 · 发表于 Post on 2015-8-7 08:24:49

嗯，谢谢！我记得激发态计算，有基态优化，和TD激发态计算两步。是否能通过计算产生的两个chk文件，展示后前配位离子区域表面电子，声色团区域表面电子变化呢？理论上，激发态时，配位区域能量升高，这种能量可能是电子跃迁（离子表面电子跃迁可能性较低），更可能是配位离子与激发光谱产生共振而导致能量上升，但如何以图片形式显示配位离子的振动能量呢？

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[综合交流] NBO能分析与发射谱相关的表面电子能量变化吗？